В России начато производство компонентов для 5G-оборудования
Опубликовал: FIELD LINE, 22-12-2017, 22:07, В России / Технологии / Железо, 5 553, 0
Холдинг «Росэлектроника», входящий в госкорпорацию Ростех, объявил о начале выпуска нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G и нового поколения систем радиолокации.
Изделия с обозначение ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность составляет от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности — от 9 до 13 дБ.
Сообщается, что опытные образцы прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов. Важно отметить, что транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительные настройки в составе аппаратуры.
Применение новых транзисторов в сетях связи позволит увеличить объёмы передаваемого трафика за счёт большего диапазона частот. Причём такие изделия обеспечат стабильную работу аппаратуры при температурах от минус 60 до плюс 125 градусов Цельсия.
Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твёрдых растворов на его основе находят всё более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведёт к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств.
Изделия с обозначение ПП9137А обладают высоким значением удельной выходной мощности, широкой полосой согласования, высоким значением пробивных напряжений «сток-исток». Выходная мощность составляет от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности — от 9 до 13 дБ.
Сообщается, что опытные образцы прошли испытания в составе аппаратуры квадрокоптеров, радиостанций и аппаратуры локации аэропортов. Важно отметить, что транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительные настройки в составе аппаратуры.
Применение новых транзисторов в сетях связи позволит увеличить объёмы передаваемого трафика за счёт большего диапазона частот. Причём такие изделия обеспечат стабильную работу аппаратуры при температурах от минус 60 до плюс 125 градусов Цельсия.
Гетероэпитаксиальные структуры GaN и твёрдых растворов на его основе находят всё более широкое применение в области радио- и силовой электроники. Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведёт к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств.
