Память HBM3 предложит пропускную способность до 655 Гбайт/c на стек, заявила SK Hynix
Опубликовал: FIELD LINE, 10-06-2021, 00:17, Железо, 210, 0
Память HBM, отличающаяся очень высокой пропускной способностью, так и не завоевала должной популярности на рынке потребительских видеокарт, однако нашла широкое применение в ускорителях вычислений для дата-центров. Следующим поколением памяти HBM станет HBM3. Компания SK Hynix поделилась свежей информацией о своих планах относительно выпуска памяти нового типа, а также некоторыми спецификациями.
Комитет JEDEC, отвечающий за стандартизацию оперативной памяти, в том числе HBM, формально пока не утвердил окончательные спецификации стандарта HBM3. Однако SK Hynix, как и некоторые другие производителя памяти, уже занимаются разработкой нового стандарта.
Как пишет Tom's Hardware, ссылающийся на официальный сайт SK Hynix, новый тип памяти «сможет обрабатывать до 655 гигабайт информации в секунду со скоростью ввода-вывода на уровне 5,2 Гбит/с [подразумевается эффективная частота в 5,2 ГГц — прим. ред.]». Для сравнения, выпускаемые сегодня SK Hynix стеки памяти HBM2E обеспечивают пропускную способность на уровне 460 Гбайт/с при эффективной частоте в 3,6 Гбит/с. Разница более чем на 40 %.
Современные устройства, нуждающиеся в памяти с высокой пропускной способностью (к ним относятся, например, высокопроизводительные GPU и FPGA), как правило оснащаются 4–6 стеками памяти типа HBM2E. То есть общая пропускная способность подсистемы памяти при использовании стеков HBM2E может достигать 1,84–2,77 Тбайт/с. В то же время при использовании памяти нового стандарта HBM3 этот показатель можно будет увеличить до 2,66–3,99 Тбайт/с.
SK Hynix не сообщает, когда именно стоит ждать появления продуктов с памятью стандарта HBM3. В начале 2020 года SK Hynix лицензировала у компании Xperi технологию межкристальных соединений 2.5D/3D для пространственной сборки кристаллов в единый стек. Технология DBI Ultra позволяет создать на одном квадратном миллиметре площади от 100 тыс. до 1 млн соединений и объединять в стек до 16 кристаллов, за счёт чего можно будет создавать чипы HBM3 большой ёмкости, а также 2,5D или 3D-решения со встроенной памятью нового стандарта.
Комитет JEDEC, отвечающий за стандартизацию оперативной памяти, в том числе HBM, формально пока не утвердил окончательные спецификации стандарта HBM3. Однако SK Hynix, как и некоторые другие производителя памяти, уже занимаются разработкой нового стандарта.
Как пишет Tom's Hardware, ссылающийся на официальный сайт SK Hynix, новый тип памяти «сможет обрабатывать до 655 гигабайт информации в секунду со скоростью ввода-вывода на уровне 5,2 Гбит/с [подразумевается эффективная частота в 5,2 ГГц — прим. ред.]». Для сравнения, выпускаемые сегодня SK Hynix стеки памяти HBM2E обеспечивают пропускную способность на уровне 460 Гбайт/с при эффективной частоте в 3,6 Гбит/с. Разница более чем на 40 %.
Современные устройства, нуждающиеся в памяти с высокой пропускной способностью (к ним относятся, например, высокопроизводительные GPU и FPGA), как правило оснащаются 4–6 стеками памяти типа HBM2E. То есть общая пропускная способность подсистемы памяти при использовании стеков HBM2E может достигать 1,84–2,77 Тбайт/с. В то же время при использовании памяти нового стандарта HBM3 этот показатель можно будет увеличить до 2,66–3,99 Тбайт/с.
SK Hynix не сообщает, когда именно стоит ждать появления продуктов с памятью стандарта HBM3. В начале 2020 года SK Hynix лицензировала у компании Xperi технологию межкристальных соединений 2.5D/3D для пространственной сборки кристаллов в единый стек. Технология DBI Ultra позволяет создать на одном квадратном миллиметре площади от 100 тыс. до 1 млн соединений и объединять в стек до 16 кристаллов, за счёт чего можно будет создавать чипы HBM3 большой ёмкости, а также 2,5D или 3D-решения со встроенной памятью нового стандарта.
