Начато серийное производство первых российских SSD
Компания GS Group анонсировала, как она утверждает, серийное производство первых российских твердотельных накопителей. Выпуск устройств налажен в инновационном кластере «Технополис GS».
Отмечается, что локализован весь цикл разработки и производства SSD-устройств, включая проектирование, разработку, монтаж компонентов на плате, корпусирование микросхем памяти, финальную сборку и упаковку изделий. Возможна индивидуальная аппаратная или программная настройка оборудования под конкретные требования заказчика.
GS Group представила первый серийный образец твердотельного накопителя в 2017 году. Это была 2,5-дюймовая модель объёмом 256 Гбайт. До конца нынешнего года планируется выпуск аппаратов вместимостью до 1 Тбайт, предназначенных для рабочих станций, серверов, а также СХД и других сложных многоуровневых систем.
Накопители GS Group обладают интерфейсом SATA 3.0 с максимальной скоростью передачи данных до 6 Гбит/с и показателями скорости чтения и записи данных на уровне до 550 Мбайт/с и 450 Мбайт/с соответственно.
В основе устройств лежат произведённые в «Технополисе GS» микросхемы памяти, внутри которых используются кристаллы 3D NAND последнего поколения от ведущих мировых производителей.
Отмечается, что локализован весь цикл разработки и производства SSD-устройств, включая проектирование, разработку, монтаж компонентов на плате, корпусирование микросхем памяти, финальную сборку и упаковку изделий. Возможна индивидуальная аппаратная или программная настройка оборудования под конкретные требования заказчика.
GS Group представила первый серийный образец твердотельного накопителя в 2017 году. Это была 2,5-дюймовая модель объёмом 256 Гбайт. До конца нынешнего года планируется выпуск аппаратов вместимостью до 1 Тбайт, предназначенных для рабочих станций, серверов, а также СХД и других сложных многоуровневых систем.
Накопители GS Group обладают интерфейсом SATA 3.0 с максимальной скоростью передачи данных до 6 Гбит/с и показателями скорости чтения и записи данных на уровне до 550 Мбайт/с и 450 Мбайт/с соответственно.
В основе устройств лежат произведённые в «Технополисе GS» микросхемы памяти, внутри которых используются кристаллы 3D NAND последнего поколения от ведущих мировых производителей.
Обсуждение 2