» » В Корее создана технология производства флеш-памяти на бумаге
Информация к новости
  • Просмотров: 200
  • Автор: FIELD LINE
  • Дата: 9-11-2017, 01:18
  • Не нравится
  • +3
  • Нравится
9-11-2017, 01:18

В Корее создана технология производства флеш-памяти на бумаге

Категория: Технологии

Благодаря развитию индустрии по производству жидкокристаллических экранов технология создания тонкоплёночных транзисторов (TFT, thin-film transistors) шагнула далеко вперёд. К сожалению, этого нельзя сказать о производстве транзисторов из органических материалов, которые могли бы добавить тонкоплёночным полупроводниковым структурам гибкости, вплоть до возможности растягиваться без повреждения. И если с обычными транзисторами вопрос как-то решается, а электроника на гибких подложках уже не является чем-то необычным, то с производством энергонезависимой памяти на гибкой пластиковой или другой основе пока всё достаточно плохо.


Пример упаковки продуктов с датчиком температуры и дисплеем (Thin Film Electronics)

Перспективную технологию производства NOR- и NAND-флеш на гибких подложках предложил южно-корейский институт KAIST (Корейский институт передовых технологий). Статья о разработке опубликована в журнале Nature Communications. Созданный с применением новой технологии прототип с массивом памяти NAND демонстрирует работоспособность при кривизне изгиба 300 мкм. Толщина подложки при этом равна 6 мкм. Материал также допускает растягивание до 2,8 % с сохранением работоспособности «чипа» памяти. Предыдущие материалы не позволяли растягивать электронную схему более чем на 1 %.


Сворачиваемый в трубочку массив NAND-флеш (KAIST)

Основная проблема при производстве флеш-памяти на гибкой подложке заключалась в том, что не удавалось создать изолирующие материалы одновременно достаточно гибкие и способные удерживать заряд в ячейке длительное время — более месяца. Предложенный институтом KAIST технологический процесс, который опирается на химическое осаждение материала из газовой (паровой) фазы, даёт возможность последовательно создавать изолирующие слои с необходимыми свойствами. Обычно же для выпуска электроники на гибких подложках используются технологии с разного рода жидкими растворителями. С производством флеш-памяти это не помогло.


Условная структура гибкой ячейки NAND-флеш (KAIST)

Созданный в лабораториях прототип флеш-памяи на гибкой подложке программируется напряжением 10 В и способен удерживать заряд в ячейке 10 лет без подачи питания. Это уже индустриальный стандарт. Такую же память разработчики создали на обычной бумаге. В последние годы электроника вторгается в печатную продукцию и, прежде всего, в упаковочные материалы. Это лекарства, продукты, карты доступа и прочее, что сделает ряд обычных жизненных ситуаций более информативными.
Источникhttps://3dnews.ru/961203
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
<
c400

9 ноября 2017 05:36

Статус: Пользователь offline

  • Не нравится
  • 0
  • Нравится
Информация к комментарию
  • Группа: Администраторы
  • Регистрация: 21.06.2016
  • Статус: Пользователь offline
  • Публикаций: 38
  • Комментариев: 185
Вот это новость
<
Draker

9 ноября 2017 11:00

Статус: Пользователь offline

  • Не нравится
  • +2
  • Нравится
Информация к комментарию
  • Группа: Посетители
  • Регистрация: 21.06.2016
  • Статус: Пользователь offline
  • Публикаций: 13
  • Комментариев: 84
Проблема с утилизацией туалетной бумаги решена. Не связано ли это со сбором биоматериалов в РФ?
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.